氧化鋅將成為創(chuàng)造高性能LED的突破點(diǎn)
2008年12月19日 10:31 5997次瀏覽 來(lái)源： 中國(guó)有色網(wǎng) 分類： 鉛鋅資訊
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，德國(guó)科學(xué)家采用氫進(jìn)行摻雜的方法制造出更高性能的LED和其他半導(dǎo)體。他們稱，在使用氧化鋅制造半導(dǎo)體時(shí)，合理控制氫原子將成為一個(gè)關(guān)鍵。半導(dǎo)體摻雜是激活半導(dǎo)體的必要條件，它將外來(lái)的原子摻進(jìn)晶體里，而該原子可以釋放（n型摻雜）或吸收一個(gè)電子（p型摻雜）。這樣就在固體內(nèi)部創(chuàng)造一個(gè)空穴。
科學(xué)家已經(jīng)在努力將氫和p型摻雜結(jié)合，但是氫原子更加容易進(jìn)行n型摻雜，但是這會(huì)阻礙半導(dǎo)體工藝。而P型摻雜才能制造LED和半導(dǎo)體。而氧化鋅到處都是——每年全球的產(chǎn)量為數(shù)千噸。
責(zé)任編輯：安會(huì)珍
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