高質(zhì)量半絕緣GaN的制備
2008年04月01日 0:0 6313次瀏覽 來源： 中國(guó)有色網(wǎng) 分類： 新技術(shù)
GaN作為寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，因其良好的熱穩(wěn)定性、較高的擊穿電壓，在高功率高頻率電子器件方面有較大發(fā)展前途。通常非摻雜GaN因Ga空位和殘余氧表現(xiàn)為n型。摻入某些金屬元素（如鐵）作為深能級(jí)受主，利用補(bǔ)償作用可改善GaN電學(xué)性質(zhì)。
責(zé)任編輯：CNMN
如需了解更多信息，請(qǐng)登錄中國(guó)有色網(wǎng)：m.fu-jin.com了解更多信息。
中國(guó)有色網(wǎng)聲明：本網(wǎng)所有內(nèi)容的版權(quán)均屬于作者或頁(yè)面內(nèi)聲明的版權(quán)人。
凡注明文章來源為“中國(guó)有色金屬報(bào)”或 “中國(guó)有色網(wǎng)”的文章，均為中國(guó)有色網(wǎng)原創(chuàng)或者是合作機(jī)構(gòu)授權(quán)同意發(fā)布的文章。
如需轉(zhuǎn)載，轉(zhuǎn)載方必須與中國(guó)有色網(wǎng)（ 郵件：cnmn@cnmn.com.cn 或 電話：010-63971479）聯(lián)系，簽署授權(quán)協(xié)議，取得轉(zhuǎn)載授權(quán)；
凡本網(wǎng)注明“來源：“XXX（非中國(guó)有色網(wǎng)或非中國(guó)有色金屬報(bào)）”的文章，均轉(zhuǎn)載自其它媒體，轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息，并不構(gòu)成投資建議，僅供讀者參考。
若據(jù)本文章操作，所有后果讀者自負(fù)，中國(guó)有色網(wǎng)概不負(fù)任何責(zé)任。
